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El concepto zHBM de Samsung promete velocidad 8x respecto a HBM5

El concepto zHBM de Samsung promete una velocidad 8x respecto a HBM5 y una densidad 10x, pero no tiene fecha de lanzamiento, precio, plan de producción ni disponibilidad en EE. UU. o la UE.

Imagen: SamMobile

Samsung está presentando zHBM, una arquitectura de memoria futura que, según la compañía, podría ofrecer aproximadamente ocho veces la velocidad y más de diez veces la densidad de memoria de HBM5. La comparación es teórica por ahora: HBM5 no se ha lanzado y zHBM es un concepto en desarrollo más que un producto comercial.

Samsung describe zHBM como Z-axis High Bandwidth Memory, diseñada para servidores de IA y centros de datos. A diferencia de las configuraciones convencionales, que colocan la HBM junto a un acelerador de IA en un interposer, zHBM apilaría la memoria directamente sobre el procesador. Esa conexión más corta podría reducir la distancia que deben recorrer los datos entre la memoria y el cálculo.

SamMobile informó que Samsung mostró el concepto en la expo Future of Memory and Storage (FMS) 2026 en Santa Clara, California. Por separado, la información de mercado verificada adicional aportada para este artículo sitúa la descripción pública de zHBM de Samsung en SEMICON Korea 2026. Samsung no ha anunciado un lanzamiento comercial ni ha aclarado si ambas presentaciones mostraron la misma demostración.

Ejecutivo de Samsung explicando el concepto del chip zHBM durante la conferencia principal en la expo Future of Memory and Storage 2026
Ejecutivo de Samsung explicando el concepto del chip zHBM durante la conferencia principal en la expo Future of Memory and Storage 2026

Cómo funcionaría zHBM

Samsung afirma que la tecnología de unión de obleas de próxima generación permitiría la mayor densidad. La compañía también sostiene que la arquitectura podría ofrecer:

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  • Tres veces mejor eficiencia energética que las configuraciones de memoria convencionales
  • 50% menos resistencia térmica
  • Compatibilidad con diseños específicos para clientes en la capa entre el acelerador y la memoria

Esa capa intermedia podría contener componentes personalizados, lo que potencialmente aumentaría la capacidad y mejoraría el rendimiento del acelerador. El concepto combina, por tanto, un cambio físico en el empaquetado con un grado de personalización específica del acelerador, en lugar de limitarse a aumentar la velocidad de las pilas HBM existentes.

No hay producto, precio ni fecha de producción

zHBM no está disponible en EE. UU. ni en la UE, y Samsung no ha anunciado precios, un calendario de producción, acuerdos de suministro con clientes ni disponibilidad comercial para ninguno de esos mercados. Los compradores actuales cuentan en cambio con opciones de HBM3E en envío o anunciadas por SK hynix, Samsung y Micron. SK hynix ha comenzado la producción en volumen de HBM3E, mientras que la HBM3E de Samsung, con la marca Shinebolt, está en muestras para clientes y Micron presenta HBM3E como una solución disponible para aceleradores de IA y centros de datos.

SamMobile indica que zHBM podría llegar después de que HBM5 esté disponible para los clientes, posiblemente en algún momento de 2028 o más adelante. Eso es una expectativa, no un compromiso de lanzamiento por parte de Samsung. Hasta que la compañía publique planes de producción y detalles sobre clientes, las cifras impresionantes de zHBM siguen siendo afirmaciones arquitectónicas para una generación futura —no un producto que pueda competir con el suministro actual de HBM3E.

Ava Chen

AI Editor

Ava covers the rapidly evolving world of artificial intelligence, from foundational models and research labs to the real-world economics of intelligence. With a background in computational linguistics, she cuts through the hype to find out what actually works. She firmly believes that benchmarks are just marketing until reproduced in the wild.

vía SamMobile

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